Накопитель SSD 1ТB Samsung 990 EVO Plus M.2 2280 PCIe 5.0 x4 NVMe V-NAND TLC (MZ-V9S1T0BW)
Артикул: DC-534366
- Производитель: Samsung
Тип памяти
TLC,
Контроллер
Samsung in-house,
IOPS (чтение/запись)
850 000/1 350 000,
Поддержка NVMe
есть,
Время наработки на отказ
1.5 млн часов,
TBW (ресурс записей)
600 TБ,
Для ноутбуков
да,
Дополнительные данные
Поддержка TRIM, S.M.A.R.T,
Поразительное ускорение
Ускорьте свои задачи.
990 EVO Plus достигает молниеносной скорости чтения/записи 7250/6300 МБ/с с новейшей памятью NAND, повышая производительность на 45%. Ускорьте загрузку игр и получите быстрый доступ к огромным файлам.
Максимальное пространство. Максимальная скорость. Максимальный потенциал.
Используйте всю мощь своего диска с улучшенной функцией Intelligent TurboWrite 2.0. Обрабатывайте большие объемы данных быстрее и с легкостью справляйтесь с тяжелой графикой с увеличенной областью TurboWrite, которая теперь доступна в огромной емкости 4 ТБ.
Ускорьте свои задачи.
990 EVO Plus достигает молниеносной скорости чтения/записи 7250/6300 МБ/с с новейшей памятью NAND, повышая производительность на 45%. Ускорьте загрузку игр и получите быстрый доступ к огромным файлам.
Максимальное пространство. Максимальная скорость. Максимальный потенциал.
Используйте всю мощь своего диска с улучшенной функцией Intelligent TurboWrite 2.0. Обрабатывайте большие объемы данных быстрее и с легкостью справляйтесь с тяжелой графикой с увеличенной областью TurboWrite, которая теперь доступна в огромной емкости 4 ТБ.
Характеристики Накопитель SSD 1ТB Samsung 990 EVO Plus M.2 2280 PCIe 5.0 x4 NVMe V-NAND TLC (MZ-V9S1T0BW)
| Характеристики | |
| Тип памяти | TLC |
| Контроллер | Samsung in-house |
| IOPS (чтение/запись) | 850 000/1 350 000 |
| Поддержка NVMe | есть |
| Время наработки на отказ | 1.5 млн часов |
| TBW (ресурс записей) | 600 TБ |
| Для ноутбуков | да |
| Дополнительные данные | Поддержка TRIM, S.M.A.R.T |
| Ударостойкость | есть |
| Наличие подсветки | нет |
| Для компьютеров | да |
| Объем памяти | 6300 МБ/7150 МБ/до 4.3 Вт/максимум: 4.3 Вт/сек |
| Объем накопителя | 1 ТБ |
| Форм-фактор | 6300 МБ/7150 МБ/M.2 2280/до 4.3 Вт/максимум: 4.3 Вт/сек |
| Разъемы | |
| Разъем для наушников | PCI Express 5.0 x4 |
| Серия | |
| Серия | Samsung 990 EVO |
| Размеры | |
| Габариты | 80×22×2 мм |
| Вес | |
| Вес | 50 г |
